9月20日～23日に東北大学で開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会にて、畠山教授がシンポジウムでの講演を行います。
シンポジウム：「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」
発表日時：9月21日 14:20 〜 14:35 [21p-M206-3]
畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介
“SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察”
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements”
2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022) 2022年7月8日
6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFETのチャネル移動度改善”
第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2022年6月11日
畠山教授が筆頭の論文が Journal of Applied Physics 誌に掲載されました。本成果は、「文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」プロジェクトの一環として、富山県立大学と産総研との共同研究により得られた成果であり、双極子散乱理論を用いることで、SiC MOSFETのチャネル移動度の劣化機構の推察を行ったものです。
T. Hatakeyama*, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs” J. Appl. Phys. 131, 145701 (2022).
2021年度学位授与式が執り行われ、当研究室からは2名の大学院生（修士）と、3名の学部生が無事に修了・卒業しました。修士の２名はパワエレ研の基盤形成に大きく貢献した１期生です。研究室を大きく成長させてくれた皆さんにとても感謝しています。本学での経験を活かして、それぞれの環境の中で足跡を残して行ってほしいと思います。
2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記５件の口頭講演を行います。
“SiC Hall barの最適設計に関する考察”
守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫
“TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション”
守山 遼, 犬塚 柊, 岡本 大, 畠山 哲夫
“TCADによるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討”
中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫
“TCADによるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討”
伊藤 大地, 守山 遼, 畠山 哲夫
“On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定によるSiC MOSFETのNBTI特性の解析”
岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
2021年12月9日(木)～10日(金)にオンライン開催される先進パワー半導体分科会第8回講演会にて、当研究室の守山君（M2）が下記のポスター講演を行います。本講演は、SiC MOSFETのチャネル移動度の解析によく用いられるHall効果測定を正確に行うための最適な素子設計を、デバイスシミュレーションにより明らかにしたものです。
守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC van der Pauw およびHall bar 素子の最適設計”
先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9 or 10日
新たに６名の学部３年生（石塚君、杉野君、谷口君、益田君、松浦君、向君）が配属されました。研究室メンバーは計13名になりました。これから半年間かけて、専門ゼミで卒研開始に向けた基礎的な知識を習得します。
文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（令和３～５年度）「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。
大阪大学、産総研、東京大学、筑波大学、関西学院大学との連携により、SiC MOSデバイスの性能を向上するためのプロセス開発に向けて、強力に研究を推進します。
11月17日～19日にオンライン開催されるIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods”
IEEE International Meting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月