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応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会で5件の講演を行います。

2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記5件の口頭講演を行います。

“SiC Hall barの最適設計に関する考察”
守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション”
守山 遼, 犬塚 柊, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討”
中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討”
伊藤 大地, 守山 遼, 畠山 哲夫

“On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定によるSiC MOSFETのNBTI特性の解析”
岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

守山君が先進パワー講演会で講演を行います。

2021年12月9日(木)~10日(金)にオンライン開催される先進パワー半導体分科会第8回講演会にて、当研究室の守山君(M2)が下記のポスター講演を行います。本講演は、SiC MOSFETのチャネル移動度の解析によく用いられるHall効果測定を正確に行うための最適な素子設計を、デバイスシミュレーションにより明らかにしたものです。

守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC van der Pauw およびHall bar 素子の最適設計”
先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月9 or 10日