3月16日（土）に2023年度の学位授与式が執り行われました。パワエレ研からは8名の学部４年生が無事に卒業しました。また、当研究室の酒井君が電気電子工学科のベストスチューデントを受賞しました。
8名のうち4名は大学院修士課程へ進学し、パワエレ研で研究を継続します。4名は就職し、4月からは社会人として、富山県内の産業へ貢献していきます。それぞれが新たなステージへと進んでいきました。おめでとうございます！
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新たに7名の学部３年生（阿部さん、石井君、梅津君、鎌谷君、下條君、田近君、矢合君）が配属されました。研究室メンバーは計17名になりました。
科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。
1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」
代表者：畠山 哲夫
研究期間：2023年4月～2026年3月
2. 科研費基盤研究(C) 「フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発」
代表者：岡本 大
研究期間：2023年4月～2026年3月
研究費の助成に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。
新たに８名の学部３年生（上野君、笠原君、木全君、小橋君、酒井君、志村君、高林君、田口君）が配属されました。研究室メンバーは計16名になりました。
畠山教授が筆頭の論文が Journal of Applied Physics 誌に掲載されました。本成果は、「文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」プロジェクトの一環として、富山県立大学と産総研との共同研究により得られた成果であり、双極子散乱理論を用いることで、SiC MOSFETのチャネル移動度の劣化機構の推察を行ったものです。
T. Hatakeyama*, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs” J. Appl. Phys. 131, 145701 (2022).
2021年度学位授与式が執り行われ、当研究室からは2名の大学院生（修士）と、3名の学部生が無事に修了・卒業しました。修士の２名はパワエレ研の基盤形成に大きく貢献した１期生です。研究室を大きく成長させてくれた皆さんにとても感謝しています。本学での経験を活かして、それぞれの環境の中で足跡を残して行ってほしいと思います。
新たに６名の学部３年生（石塚君、杉野君、谷口君、益田君、松浦君、向君）が配属されました。研究室メンバーは計13名になりました。これから半年間かけて、専門ゼミで卒研開始に向けた基礎的な知識を習得します。
文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（令和３～５年度）「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。
大阪大学、産総研、東京大学、筑波大学、関西学院大学との連携により、SiC MOSデバイスの性能を向上するためのプロセス開発に向けて、強力に研究を推進します。
公益財団法人 村田学術振興財団 第37回(2021年度) 研究助成に、本研究室からの提案「SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用」が採択されました。研究期間は、2021年7月から2022年6月までの１年間です。
本研究課題は、SiC MOSFETにおいて問題となっているチャネル移動度を改善する新規プロセスを提案・開発するものです。研究費のご支援に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。