11月17日～19日にオンライン開催されるIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods”
IEEE International Meting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月