About Us
2018年にスタートした新しい研究室です。2021年より教授の畠山と准教授の岡本のスタッフ２名体制となりました。パワーエレクトロニクスの分野において、特にSiCパワー半導体デバイスの設計、SiC MOSFETの新規ゲート絶縁膜形成プロセス開発、SiCデバイスの信頼性評価などに関する研究を行っています。地方の小さな研究室ですが、5年後には世界に通用する研究室となることを目指し、研究に励んでおります。
Power Electronics
パワーエレクトロニクスとは、パワー半導体デバイス を用いた回路によって、電力の直流と交流を自在に変換する技術のことです。パワー半導体デバイスは電気自動車(EV)や新幹線のモーター制御などに使われており、「半導体不足」がニュースになったように、近年急速に需要が高まっています。我が国が掲げる 2050 年カーボンニュートラルを実現するためには、EVを駆動するインバータの高効率化により、電力消費を抑えることが重要と考えられます。本研究室では、次世代パワー半導体の一つである SiC パワーデバイスの性能向上に向けた研究を行っています。研究の詳細はResearchのページをご覧ください。
VISION
10年後、20年後に実際に世の中で使われるパワー半導体デバイスにおいてキーとなる技術の開発、物理現象の解明を目指していきます。
- 富山県立大学発の新しい省エネデバイスを創造し、低炭素社会実現に貢献する。
- 自分たちにしかできないオリジナルな研究を行う。
- 新たな価値創造ができる学生を育て、地域社会に貢献する。
