About Us

パワー半導体デバイスの性能と信頼性は、半導体と絶縁膜が接するわずか数nmの界面に大きく左右されます。私たちは、SiCをはじめとするパワー半導体を対象に、ゲート絶縁膜の形成プロセス開発、電気的・光学的手法による界面欠陥の評価、物理モデルとプログラミングを用いた現象解析に取り組んでいます。

「界面をつくる・測る・解く」という一連の研究を、一つの研究室の中で自分たちの手によって進められることが、私たちの強みです。実験と解析を往復しながら、パワー半導体の性能向上につながる独自性のある研究成果を発信していきます。

富山県には、半導体デバイス、半導体製造装置、電子部品に関わる企業が集積しています。本研究室では、パワー半導体の成膜・界面制御と測定・解析の研究を通じて、富山から次世代の半導体技術と人材を生み出すことを目指します。

VISION

10年後、20年後に実際に世の中で使われるパワー半導体デバイスにおいて、キーとなる界面制御技術の開発と、その物理現象の解明を目指します。

• 富山県立大学発の界面制御技術により、パワーエレクトロニクス技術の高効率化とカーボンニュートラルの実現に貢献する。
• 自分たちにしかできないオリジナルな研究に挑戦する。
• 新たな価値創造ができる学生を育て、地域社会と富山の半導体産業に貢献する。