2023年11月30日(木)～12月1日(金)にANAクラウンプラザホテル金沢で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて、当研究室から下記３件のポスター講演を行います。
“pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション”
木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫