応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会で6件の講演を行います。

2023年12月2日(土)に富山県民会館で開催される令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記6件の口頭講演を行います。

”SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減”
高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

”nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討”
上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫

”pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価”
小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

”SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討”
酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

”pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫

”pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響”
笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫