文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（令和３～５年度）「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。
大阪大学、産総研、東京大学、筑波大学、関西学院大学との連携により、SiC MOSデバイスの性能を向上するためのプロセス開発に向けて、強力に研究を推進します。
月別アーカイブ: 9月 2021
11月17日～19日にオンライン開催されるIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods”
IEEE International Meting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月