2026年9月に北海道で開催される第87回応用物理学会秋季学術講演会において、SiC MOS界面評価に関する研究成果を口頭発表します。
発表題目
多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価
発表者
岡本 大（富山県立大）、染谷 満（産総研）
発表日
2026年9月9日
発表形式
口頭発表
本研究では、4H-SiC MOSキャパシタの容量・コンダクタンス特性を複数の周波数で解析し、MOS界面における応答の時定数を評価します。従来の界面準位評価だけでは十分に説明できない周波数分散について、Martens型の解析に基づいて、その物理的な起源を検討します。
また、岡本は本学会のプログラム編集委員を務めており、9月9日午前のセッションでは座長も担当します。発表と学会運営の両面から、秋季学術講演会に参加します。
2026年3月15日に東京科学大学 大岡山キャンパスで開催される第73回応用物理学会春季学術講演会において、本研究室がポスター発表を行います。
本発表では、pチャネル4H-SiC MOSFETを対象として、多周波チャージポンピング法による測定結果を解析し、界面近傍酸化膜トラップ（NIT）に起因する動的な形状成分の発生メカニズムについて議論します。
田口 雄大, 岡本 大, 「多周波チャージポンピング法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのNITに起因した動的な形状成分の解明」, 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学 大岡山キャンパス, 2026年3月15日（ポスター発表）
また、岡本は応用物理学会のプログラム編集委員を務めており、本講演会では「13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価」のSiCセッションの座長を担当します。
2025年12月13日に信州大学工学部（長野県長野市）で開催される「令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会」において、本研究室から2件の口頭発表を行います。
高林 知輝, 岡本 大, 「SiO2/SiC界面特性に及ぼすSiF4添加量および酸化温度の影響」, 令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭発表）
矢合 志悠, 岡本 大, 「周波数依存チャージポンピング法によるSiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップ密度の温度依存性評価」, 令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭発表）
また、岡本は午後のセッションで座長を担当します。
日頃の研究成果を分かりやすく伝え、他大学や研究機関の研究者との議論を今後の研究に生かせるよう、発表に向けた準備を進めています。
2024年12月7日(土)に三条市立大学で開催される令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記1件の口頭講演を行います。
”n チャネルSiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価”
矢合 志悠, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
2024年11月24日(日)～11月26日(火)にGメッセ群馬（高崎市）で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会にて、当研究室から下記２件のポスター講演を行います。
“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性の特異的なチャネル依存性のTCADによる解析”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
“pチャネルSiC MOSFETにおけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
2023年12月2日(土)に富山県民会館で開催される令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記6件の口頭講演を行います。
”SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減”
高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討”
上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価”
小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討”
酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響”
笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫
2023年11月30日(木)～12月1日(金)にANAクラウンプラザホテル金沢で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて、当研究室から下記３件のポスター講演を行います。
“pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション”
木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫
2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。
“SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”
石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”
益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”
向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”
松浦 克己, 守山 遼, 畠山 哲夫
7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements”
2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022) 2022年7月8日
6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFETのチャネル移動度改善”
第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2022年6月11日
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