カテゴリーアーカイブ: 講演予定

2023年12月2日(土)に富山県民会館で開催される令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記6件の口頭講演を行います。

”SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減”
高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

”nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討”
上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫

”pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価”
小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

”SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討”
酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

”pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫

”pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響”
笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫

2023年11月30日(木)～12月1日(金)にANAクラウンプラザホテル金沢で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて、当研究室から下記３件のポスター講演を行います。

“pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫

“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

“SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション”
木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫

2023年9月17日(日)～22日(金)にイタリア・ソレントで開催される International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023) にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。

T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto and S. Harada, “A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs”

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年9月18日

2021年12月20日(火)～21日(水)に福岡国際会議場で開催される先進パワー半導体分科会第9回講演会にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。

畠山 哲夫，平井 悠久，染谷 満，岡本 大，岡本 光央、原田 信介 “TCAD における SiC MOS 反転層移動度のモデル化に関する考察”
先進パワー半導体分科会第９回講演会 2022年12月21日

2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。

“SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”
石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

“TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”
益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫

“SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”
向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫

“SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”
松浦 克己, 守山 遼, 畠山 哲夫

9月20日～23日に東北大学で開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会にて、畠山教授がシンポジウムでの講演を行います。

シンポジウム：「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」
発表日時：9月21日 14:20 〜 14:35 [21p-M206-3]

畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介
“SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察”
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日

7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。

Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements”
2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022) 2022年7月8日

6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。

岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFETのチャネル移動度改善”
第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2022年6月11日

2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記５件の口頭講演を行います。

“SiC Hall barの最適設計に関する考察”
守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション”
守山 遼, 犬塚 柊, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討”
中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討”
伊藤 大地, 守山 遼, 畠山 哲夫

“On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定によるSiC MOSFETのNBTI特性の解析”
岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

2021年12月9日(木)～10日(金)にオンライン開催される先進パワー半導体分科会第8回講演会にて、当研究室の守山君（M2）が下記のポスター講演を行います。本講演は、SiC MOSFETのチャネル移動度の解析によく用いられるHall効果測定を正確に行うための最適な素子設計を、デバイスシミュレーションにより明らかにしたものです。

守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC van der Pauw およびHall bar 素子の最適設計”
先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9 or 10日