3月22日（土）に2024年度の学位授与式が執り行われ、パワエレ研からは７名の学部４年生が無事に卒業しました。ご卒業、おめでとうございます！
７名のうち、２名は大学院修士課程に進学し、パワエレ研で研究を継続します。研究を通じて、さらに高度な知識を身につけていってほしいと思います。５名は県内・県外の企業に就職し、社会人として活躍していきます。何名かは半導体業界に就職したので、この先当研究室とのつながりもあるかもしれません。仕事や人生に行き詰った時には、いつでもパワエレ研に帰ってきてください。皆さんの活躍を期待しています！
2024年11月24~26日に群馬県高崎市のGメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会第11回講演会に参加してきました。
本研究室からは畠山先生、岡本先生、志村(M1)、田口(M1)が参加し、学生2人は昨年度に引き続きポスター発表を行いました。
パワー半導体に関する講演（デバイス、プロセス、物性、結晶など）が行われ、様々な議論が飛び交っていました。また、研究発表以外にも企業が実際に商品として売り出している製品の紹介なども行っていました。
ポスター形式で1時間15分程度の発表を行い、発表内容についての議論を交わしました。他大学の学生や企業の方々との議論を深めるなかで今までになかった新しい視点などの発見があり、勉強になりました。また、他大学の学生との議論や、発表を受けて良い刺激になりました。
今回の講演会は昨年度に続いて2回目の参加でしたが、得るものが多く、勉強になりました。
また、他大学、企業の方々の最新のパワー半導体に関する研究や、SiC以外にもGaNやダイヤモンドの研究も多いので視点を拡げるという意味でもよい講演会でした。
来年度も参加を目指して研究に取り組みたいと思いますし、後輩たちにもぜひ参加してほしいです。
最後に、今回の発表に当たり熱心に指導してくださった畠山先生、岡本先生に感謝いたします。
志村君も昨年度に続いてありがとう！
筆者: M1 田口
2024年12月7日(土)にで開催される令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記1件の口頭講演を行います。
”n チャネルSiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価”
矢合 志悠, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
2024年11月24日(日)～11月26日(火)にGメッセ群馬（高崎市）で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会にて、当研究室から下記２件のポスター講演を行います。
“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性の特異的なチャネル依存性のTCADによる解析”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
“pチャネルSiC MOSFETにおけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
新たに６名の学部３年生（飯野君、大井君、鍛治君、北野君、沢谷君、高橋君）が配属されました。研究室メンバーは計19名になりました。
3月16日（土）に2023年度の学位授与式が執り行われました。パワエレ研からは8名の学部４年生が無事に卒業しました。また、当研究室の酒井君が電気電子工学科のベストスチューデントを受賞しました。
8名のうち4名は大学院修士課程へ進学し、パワエレ研で研究を継続します。4名は就職し、4月からは社会人として、富山県内の産業へ貢献していきます。それぞれが新たなステージへと進んでいきました。おめでとうございます！
2023年11/30~12/1に金沢で開催された先進パワー半導体分科会第10回講演会に参加して研究発表を行いました。
本研究室からはB4志村(筆者)、B4田口、B4木全、畠山先生、岡本先生が参加しました。
参加者は600名程度で、パワー半導体の結晶成長、基礎物性評価、プロセス技術、デバイス、機器応用等の分野に関する講演が行われました。
ポスター形式で1時間15分の発表を行い、多くの方とディスカッションを交わしました。企業の方も多く参加しており、企業が求めているものと自身の研究がどのように結びついているかを確認することができ、とても勉強になりました。また、他大学の発表を見ることで自身のモチベーションアップにもつながりました。
人生で初めて金沢に行ったのですが、思っていたよりたくさんの人がいて、とても賑やかな場所だなと感じました。（富山と同じくらい寒かったです…）
今回初めて学会発表を行ったことで、とても良い経験になりました。
企業の方と関われる貴重な機会なので、後輩たちにもぜひ参加してほしいです！
最後に、本発表に当たり熱心に指導してくださった畠山先生、岡本先生に感謝いたします。
一緒に頑張った田口君、木全君も本当にありがとう！
筆者：B4 志村
2023年12月2日(土)に富山県民会館で開催される令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記6件の口頭講演を行います。
”SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減”
高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討”
上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価”
小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討”
酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響”
笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫
2023年11月30日(木)～12月1日(金)にANAクラウンプラザホテル金沢で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて、当研究室から下記３件のポスター講演を行います。
“pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション”
木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫
新たに7名の学部３年生（阿部さん、石井君、梅津君、鎌谷君、下條君、田近君、矢合君）が配属されました。研究室メンバーは計17名になりました。
