3月16日（土）に2023年度の学位授与式が執り行われました。パワエレ研からは8名の学部４年生が無事に卒業しました。また、当研究室の酒井君が電気電子工学科のベストスチューデントを受賞しました。
8名のうち4名は大学院修士課程へ進学し、パワエレ研で研究を継続します。4名は就職し、4月からは社会人として、富山県内の産業へ貢献していきます。それぞれが新たなステージへと進んでいきました。おめでとうございます！
2023年11/30~12/1に金沢で開催された先進パワー半導体分科会第10回講演会に参加して研究発表を行いました。
本研究室からはB4志村(筆者)、B4田口、B4木全、畠山先生、岡本先生が参加しました。
参加者は600名程度で、パワー半導体の結晶成長、基礎物性評価、プロセス技術、デバイス、機器応用等の分野に関する講演が行われました。
ポスター形式で1時間15分の発表を行い、多くの方とディスカッションを交わしました。企業の方も多く参加しており、企業が求めているものと自身の研究がどのように結びついているかを確認することができ、とても勉強になりました。また、他大学の発表を見ることで自身のモチベーションアップにもつながりました。
人生で初めて金沢に行ったのですが、思っていたよりたくさんの人がいて、とても賑やかな場所だなと感じました。（富山と同じくらい寒かったです…）
今回初めて学会発表を行ったことで、とても良い経験になりました。
企業の方と関われる貴重な機会なので、後輩たちにもぜひ参加してほしいです！
最後に、本発表に当たり熱心に指導してくださった畠山先生、岡本先生に感謝いたします。
一緒に頑張った田口君、木全君も本当にありがとう！
筆者：B4 志村
2023年12月2日(土)に富山県民会館で開催される令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記6件の口頭講演を行います。
”SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減”
高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討”
上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価”
小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討”
酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
”pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響”
笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫
2023年11月30日(木)～12月1日(金)にANAクラウンプラザホテル金沢で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて、当研究室から下記３件のポスター講演を行います。
“pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築”
志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫
“pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性”
田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション”
木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫
新たに7名の学部３年生（阿部さん、石井君、梅津君、鎌谷君、下條君、田近君、矢合君）が配属されました。研究室メンバーは計17名になりました。
2023年9月17日(日)～22日(金)にイタリア・ソレントで開催される International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023) にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。
T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto and S. Harada, “A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs”
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年9月18日
科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。
1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」
代表者：畠山 哲夫
研究期間：2023年4月～2026年3月
2. 科研費基盤研究(C) 「フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発」
代表者：岡本 大
研究期間：2023年4月～2026年3月
研究費の助成に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。
2021年12月20日(火)～21日(水)に福岡国際会議場で開催される先進パワー半導体分科会第9回講演会にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。
畠山 哲夫，平井 悠久，染谷 満，岡本 大，岡本 光央、原田 信介 “TCAD における SiC MOS 反転層移動度のモデル化に関する考察”
先進パワー半導体分科会第９回講演会 2022年12月21日
2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。
“SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”
石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”
益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”
向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”
松浦 克己, 守山 遼, 畠山 哲夫
新たに８名の学部３年生（上野君、笠原君、木全君、小橋君、酒井君、志村君、高林君、田口君）が配属されました。研究室メンバーは計16名になりました。
