2026年度 公益財団法人TAKEUCHI育英奨学会の研究助成に、研究課題「産業機械の電動化・高効率化に資するSiC MOS界面制御技術の開発」が採択されました。
本研究では、本助成を活用してALD（原子層堆積）装置を独自に構築し、新たな界面形成技術によってSiC MOS界面に存在する欠陥の低減に取り組みます。これにより、産業機械の電動化を支えるSiCパワー半導体デバイスのさらなる高性能化・高信頼性化を目指します。
8月7日には授与式・交流会に参加させていただきました。また、竹内製作所の工場見学の機会もいただき、実際に建設機械が製造されていく現場を間近で拝見し、感銘を受けました。
このご支援を大切に活用し、そこから新しい研究成果を生み出し、北信越地域の学術・産業の発展と、次世代のものづくりを担う人材の育成に役立てていきます。
このたび貴重な研究の機会を与えていただきました公益財団法人TAKEUCHI育英奨学会ならびに関係者の皆様に、心より御礼申し上げます。
いただいたご支援を社会に還元できるよう、研究室一同、研究活動に取り組んでまいります。
このたび、富山県立大学研究協力会の2026年度奨励研究に、研究課題「SiCパワー半導体ゲート絶縁膜の低コスト非破壊スクリーニング基盤の構築」が採択されました。
本研究室では初の試みとなる光学測定と電気測定を組み合わせることにより、SiCパワー半導体のゲート絶縁膜を非破壊かつ低コストで診断する技術の確立を目指します。
SiCパワーデバイスの性能や信頼性を向上させるためには、絶縁膜内部やSiO2/SiC界面に存在する欠陥の状態を適切に評価することが重要です。そこで本研究では、光学測定と電気測定から得られる複数の情報を組み合わせ、ゲート絶縁膜や界面の状態を効率的に判定するための基盤を構築します。将来的には、作製した多数の試料から、より詳細な分析やデバイス評価を行うべき試料を迅速に選別するスクリーニング技術への発展を目指します。
今回の助成は、新しい評価技術の立ち上げや、測定・解析環境を整備するうえで、大変貴重な研究資金です。ご支援に感謝するとともに、研究成果として還元できるよう、学生とともに研究を進めてまいります。
2026年9月に北海道で開催される第87回応用物理学会秋季学術講演会において、SiC MOS界面評価に関する研究成果を口頭発表します。
発表題目
多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価
発表者
岡本 大（富山県立大）、染谷 満（産総研）
発表日
2026年9月9日
発表形式
口頭発表
本研究では、4H-SiC MOSキャパシタの容量・コンダクタンス特性を複数の周波数で解析し、MOS界面における応答の時定数を評価します。従来の界面準位評価だけでは十分に説明できない周波数分散について、Martens型の解析に基づいて、その物理的な起源を検討します。
また、岡本は本学会のプログラム編集委員を務めており、9月9日午前のセッションでは座長も担当します。発表と学会運営の両面から、秋季学術講演会に参加します。
日本学術振興会 科学研究費助成事業（科研費）に、岡本准教授を研究代表者とする下記の研究課題が採択されました。
研究種目： 基盤研究（C）
研究課題名： 高性能・高信頼性SiC MOSFETの実現に向けた原子層界面ドーピング技術
研究代表者： 岡本 大
研究期間： 2026年4月～2029年3月
本研究では、SiC MOSFETの性能と信頼性を左右するSiC MOS界面に対して、原子層界面ドーピングという新たな界面制御技術の開発に取り組みます。これにより、SiC MOSFETの高性能化と高信頼性化を両立することを目指します。
研究費の助成に感謝するとともに、3年間の研究を通じて、SiC MOSFETの性能向上につながる新しい界面形成技術を提案できるよう、研究室一同、研究に取り組んでまいります。
2026年3月20日、本学の学位授与式が行われ、本研究室から学部生3名と大学院生2名が卒業・修了しました。
学部を卒業した3名のうち、2名は本学大学院へ進学し、引き続き研究に取り組みます。卒業研究で得た経験を生かし、これからさらに研究を発展させることを期待しています。
また、大学院を修了した2名は、岡本研究室として初めて送り出す修士修了生となりました。研究室の立ち上げ期から研究を支え、試行錯誤を重ねながら修士研究をまとめ上げた学生です。それぞれの進路でも、研究室で培った知識や経験を生かして活躍してくれることを期待しています。
さらに、学部を卒業した沢谷君が、電気電子工学科のベストスチューデントアワードを受賞しました。ベストスチューデントアワードは、学科で最も優秀な成績を収めた学生に贈られる賞です。沢谷君、おめでとうございます。
卒業・修了した皆さんの今後の活躍を、心より願っています。ご卒業・ご修了、おめでとうございます！
2026年3月15日に東京科学大学 大岡山キャンパスで開催される第73回応用物理学会春季学術講演会において、本研究室がポスター発表を行います。
本発表では、pチャネル4H-SiC MOSFETを対象として、多周波チャージポンピング法による測定結果を解析し、界面近傍酸化膜トラップ（NIT）に起因する動的な形状成分の発生メカニズムについて議論します。
田口 雄大, 岡本 大, 「多周波チャージポンピング法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのNITに起因した動的な形状成分の解明」, 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学 大岡山キャンパス, 2026年3月15日（ポスター発表）
また、岡本は応用物理学会のプログラム編集委員を務めており、本講演会では「13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価」のSiCセッションの座長を担当します。
2025年12月13日に信州大学工学部（長野県長野市）で開催される「令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会」において、本研究室から2件の口頭発表を行います。
高林 知輝, 岡本 大, 「SiO2/SiC界面特性に及ぼすSiF4添加量および酸化温度の影響」, 令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭発表）
矢合 志悠, 岡本 大, 「周波数依存チャージポンピング法によるSiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップ密度の温度依存性評価」, 令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭発表）
また、岡本は午後のセッションで座長を担当します。
日頃の研究成果を分かりやすく伝え、他大学や研究機関の研究者との議論を今後の研究に生かせるよう、発表に向けた準備を進めています。
2025年11月19日、20日の2日間、富山国際会議場において、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会が開催されました。
本講演会には、大学や研究機関、半導体関連企業から、企業展示の関係者を含めて600名を超える研究者・技術者が参加しました。先進パワー半導体に関する材料、結晶成長、プロセス、デバイス、回路・システムなど、幅広い分野の最新の研究成果が発表され、活発な議論と交流が行われました。
開会にあたっては、富山県の新田知事から、県外から訪れた多くの参加者を温かく迎える挨拶があり、富山県内における半導体分野への関心の高まりを象徴する会議となりました。
本講演会は、本学の畠山教授が実行委員長を務め、岡本は実行委員会副委員長として、関係者の皆様とともに開催準備および当日の運営に携わりました。多くの関係者の協力により、全国規模の講演会を富山で盛況のうちに開催することができました。
畠山研究室の学生と当研究室の学生も運営スタッフとして参加し、タイムキーパーやマイク係など、会場でのさまざまな業務に主体的に取り組みました。多数の研究者や企業の技術者が集まる大規模な学術講演会の運営を経験することは、学生にとって、研究発表とは異なる形で学術コミュニティを支える貴重な機会となりました。
今回の講演会は、パワー半導体分野における研究交流を深めるとともに、富山県をはじめとする北陸地域の半導体産業と人材育成をさらに前へ進める、新たな一歩となりました。
新たに学部3年生の二上君、堀田君、谷藤君の3名が本研究室に配属されました。研究室のメンバーは9名となりました。
これから卒業研究に向けて、半導体や実験・解析の基礎を学びながら、それぞれの研究テーマに取り組んでいきます。
本研究室では、SiCパワー半導体の界面を対象に、ゲート絶縁膜の成膜、デバイス作製やPythonを用いた解析などを行っています。
新しいメンバーを迎え、研究室としてもさらに活発に活動していきます。3名の今後の成長と活躍を期待しています。
3月22日（土）に2024年度の学位授与式が執り行われ、パワエレ研からは７名の学部４年生が無事に卒業しました。ご卒業、おめでとうございます！
７名のうち、２名は大学院修士課程に進学し、パワエレ研で研究を継続します。研究を通じて、さらに高度な知識を身につけていってほしいと思います。５名は県内・県外の企業に就職し、社会人として活躍していきます。何名かは半導体業界に就職したので、この先当研究室とのつながりもあるかもしれません。仕事や人生に行き詰った時には、いつでもパワエレ研に帰ってきてください。皆さんの活躍を期待しています！
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