学術論文 | Journal Papers (since 2018)

  1. M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita, and T. Umeda, “Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface” APL Materials 11, 111119 (2023).
  2. T. Hatakeyama*, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, S. Harada, “Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs” J. Appl. Phys. 131, 145701 (2022).
  3. H. Sakata, D. Okamoto*, M. Sometani, M. Okamoto, H. Hirai, S. Harada, T. Hatakeyama, H. Yano, N. Iwamuro, “Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method” Jpn. J. Appl. Phys. 60, 060901 (2021).
  4. A. Yao, R. Moriyama, T. Hatakeyama, “Iron Losses and Magnetic-Hysteresis Properties Under GaN Inverter Excitation at High-Frequencies” J. Magn. Soc. Jpn. 44, 87 (2020).
  5. H. Nemoto, D. Okamoto*, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs” Jpn. J. Appl. Phys. 59, 044003 (2020).
  6. A. Yao, T. Funaki, T. Hatakeyama, “Representation of Magnetic Hysteresis Phenomena under Inverter Excitation in a Circuit Simulator using Coupling Analysis of Electricity and Magnetism” J. Magn. Soc. Jpn. 43, 105 (2019).
  7. T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, “Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000-1)/SiO2 interfaces with wet oxidation” Appl. Phys. Lett. 115, 151602 (2019).
  8. H. Hirai, T. Hatakeyama, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, Hajime Okumura “Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on (1-100) m-face and (11-20) a-face characterized by Hall effect measurements” Appl. Phys. Lett. 115, 132106 (2019).
  9. M. Sometani, T. Hosoi, H. Hirai, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe, Y. Yonezawa, H. Okumura “Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations” Appl. Phys. Lett. 115, 132102 (2019).
  10. T. Masuda, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, “Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0-33-8) interfaces” Jpn. J. Appl. Phys. 58 SBBD04 (2019).
  11. T. Hatakeyama*, T. Masuda, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, H. Okumura, “Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities” Appl. Phys. Express 12, 201003 (2019).
  12. X. Zhang, D. Okamoto*, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors” Jpn. J. Appl. Phys. 57, 06KA04 (2018).
  13. Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto*, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors” Jpn. J. Appl. Phys. 57, 06KA06 (2018).

学会発表 | Conference Presentations (since 2018)

  1. 高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫 “SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減” 令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
  2. 上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫 “nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討” 令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
  3. 小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫 “pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価” 令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
  4. 酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫 “SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討” 令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
  5. 志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫 “pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション” 令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
  6. 笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫 “pチャネルSiC MOSFET のCharge Pumping 特性における捕獲断面積の影響” 令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023年12月2日
  7. 志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫 “pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築” 先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
  8. 田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫 “pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性” 先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
  9. 木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性のTCADシミュレーション” 先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日
  10. 松田 隼，秋山 亨，畠山 哲夫，白石 賢二，中山 隆史 “4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列および界面双極子形成に関する理論解析” 先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年11月30日
  11. T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, S. Harada, “A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年9月18日
  12. M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita, T. Umeda “Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C–V and first-principles calculation” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年9月19日
  13. 染谷 満, 西谷 侑将, 近藤 蓮, 猪鼻 伶, 曾 弘宇, 平井 悠久, 岡本 大, 松下 雄一郎, 梅田 享英 “SiO2/SiC界面に存在するCダングリングボンド欠陥のエネルギーレベル” 先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月21日
  14. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介 “TCADにおけるSiC MOS反転層移動度のモデル化に関する考察” 先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月21日
  15. 松浦 克己, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC PiNダイオードのp型エミッタの低注入条件のTCADによる検討” 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日
  16. 向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC MOSFETのI-V特性を再現するTCAD移動度モデルの検討” 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日 
  17. 益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫 “TCADによるSiC MOSFETのCP特性の捕獲断面積依存性の評価” 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日
  18. 石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫 “SiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流の素子形状依存性” 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022年12月3日
  19. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介 “SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察” 第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
  20. Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama “Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements” 2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022) 2022年7月8日【招待講演】
  21. 岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFETのチャネル移動度改善” 第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2022年6月11日【招待講演】
  22. 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計” 先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月10日
  23. 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央,畠山 哲夫, 原田 信介 “4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響” 先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月10日
  24. 坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価” 先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9日【招待講演】
  25. 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC Hall barの最適設計に関する考察” 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2021年12月4日
  26. 守山 遼, 犬塚 柊, 岡本 大, 畠山 哲夫 “TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション” 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2021年12月4日
  27. 中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “TCADによるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討” 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2021年12月4日
  28. 伊藤 大地, 守山 遼, 畠山 哲夫 “TCADによるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討” 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2021年12月4日
  29. 岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫 “On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定によるSiC MOSFETのNBTI特性の解析” 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2021年12月4日
  30. Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama “Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods” IEEE International Meting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月19日【招待講演】
  31. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介 “SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察” 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月22日
  32. 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫 “On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析” 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月22日
  33. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室憲幸, 矢野 裕司 “4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析” 先進パワー半導体分科会第７回講演会 2020年12月10日【招待講演】
  34. 坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価” 先進パワー半導体分科会第７回講演会 2020年12月9日
  35. 岡本 大 “SiC pチャネルMOSFETの実効移動度評価” 先進パワー半導体分科会第６回個別討論会 2020年9月14日【依頼講演】
  36. 岡本 大, 染谷 満, 坂田 大輝, 張 旭芳, 松谷 優汰, 畠山 哲夫, 岡本 光央, 原田 信介, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析” 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
  37. 岡本 大, 周 星炎, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析” 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2020年2月1日
  38. 坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司 “高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価” 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月
  39. 周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司 “ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明” 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月
  40. 根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析” 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月
  41. D. Okamoto, H. Nemoto, X. Zhang, X. Zhou, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, N. Iwamuro, H, Yano “Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月
  42. H. Nemoto, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano “Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月
  43. X. Zhou, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano “Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月
  44. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析” 応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月
  45. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model” 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2019年1月25日
  46. 周 星炎, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岡本 光央, 張 旭芳, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明” 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
  47. 根本 宏樹, 岡本 大, 染谷 満, 木内 祐治, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析” 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
  48. 畠山哲夫, 増田健良, 染谷満, 岡本大, 原田信介, 矢野 裕司, 米澤喜幸, 奥村元 “SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果” 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
  49. H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs” 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
  50. X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, H. Yano, “Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements” European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
  51. T. Hatakeyama, T. Masuda, M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Yano, Y. Yonezawa, H. Okumura, “Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0-33-8), (11-20) and {0001} and their Impacts on Electron Transport” 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日