学術論文 | Journal Papers

* Corresponding author

  1. K. Shimura, D. Okamoto, Y. Taguchi, K. Kimata, M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, and T. Hatakeyama, “TCAD and experimental study of geometric components in charge pumping current for accurate characterization of interface trap density in SiC pMOSFETs”, Jpn. J. Appl. Phys. 65, 11SP21 (2026).
  2. M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita, and T. Umeda, “Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface”, APL Materials 11, 111119 (2023).
  3. T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs”, J. Appl. Phys. 131, 145701 (2022).
  4. H. Sakata, D. Okamoto*, M. Sometani, M. Okamoto, H. Hirai, S. Harada, T. Hatakeyama, H. Yano, and N. Iwamuro, “Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method”, Jpn. J. Appl. Phys. 60, 060901 (2021).
  5. X. Zhang, T. Matsumoto, U. Sakurai, T. Makino, M. Ogura, S. Yamasaki, M. Sometani, D. Okamoto, H. Yano, N. Iwamuro, T. Inokuma, and N. Tokuda, “Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method”, Carbon 168, 659–664 (2020).
  6. H. Nemoto, D. Okamoto*, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs”, Jpn. J. Appl. Phys. 59, 044003 (2020).
  7. T. Hatakeyama, T. Masuda, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities”, Appl. Phys. Express 12, 201003 (2019).
  8. X. Zhang, D. Okamoto*, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors”, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 06KA04 (2018).
  9. Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto*, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors”, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 06KA06 (2018).
  10. M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, Y. Iwahashi, M. Hayashi, D. Okamoto, H. Yano, S. Harada, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions”, Jpn. J. Appl. Phys. 57, 04FA07 (2018).
  11. J. An, M. Namai, D. Okamoto, H. Yano, H. Tadano, and N. Iwamuro, “Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET During Unclamped Inductive Switching Test”, Electronics and Communications in Japan 101, 24–31 (2018).
  12. D. Okamoto*, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano, “Effect of boron incorporation on slow interface traps in SiO2/4H-SiC structures”, Appl. Phys. A 123, 133 (2017).
  13. X. Zhang, D. Okamoto*, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, and H. Yano, “Characterization of near-interface traps at 4H-SiC metal-oxide-semiconductor interfaces using modified distributed circuit model”, Appl. Phys. Express 10, 064101 (2017).
  14. T. Hatakeyama, Y. Kiuchi, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Characterization of traps at nitrided SiO2/SiC interfaces near the conduction band edge by using Hall effect measurements”, Appl. Phys. Express 10, 046601 (2017).
  15. 安 俊傑, 生井 正輝, 岡本 大, 矢野 裕司, 只野 博, 岩室 憲幸, “Unclamped Inductive Switching 試験による 4H-SiC MOSFET の最大接合温度の評価”, 電気学会論文誌 C 137, 216–221 (2017).
  16. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Threshold-voltage instability in 4H-SiC MOSFETs with nitrided gate oxide revealed by non-relaxation method”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04ER11 (2016).
  17. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Temperature-dependent analysis of conduction mechanism of leakage current in thermally grown oxide on 4H-SiC”, J. Appl. Phys. 117, 024505 (2015).
  18. K. Fukuda, D. Okamoto, M. Okamoto, T. Deguchi, T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, S. Harada, Y. Tanaka, Y. Yonezawa, T. Kato, S. Katakami, M. Arai, M. Takei, S. Matsunaga, K. Takao, T. Shinohe, T. Izumi, T. Hayashi, S. Ogata, K. Asano, H. Okumura, and T. Kimoto, “Development of Ultrahigh-Voltage SiC Devices”, IEEE Trans. Electron Devices 62, 396–404 (2015).
  19. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Exact characterization of threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs by non-relaxation method”, Mater. Sci. Forum 821-823, 685–688 (2015).
  20. Y. Yonezawa, T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Deguchi, T. Kato, S. Harada, Y. Tanaka, D. Okamoto, M. Sometani, M. Okamoto, M. Yoshikawa, T. Tsutsumi, Y. Sakai, N. Kumagai, S. Matsunaga, M. Takei, M. Arai, T. Hatakeyama, K. Takao, T. Shinohe, T. Izumi, T. Hayashi, K. Nakayama, K. Asano, M. Miyajima, H. Kimura, A. Otsuki, K. Fukuda, H. Okumura, and T. Kimoto, “Device performance and switching characteristics of 16 kV ultrahigh-voltage SiC flip-type n-channel IE-IGBTs”, Mater. Sci. Forum 821-823, 842–846 (2015).
  21. D. Okamoto*, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano, “Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation”, IEEE Electron Device Lett. 35, 1176–1178 (2014).
  22. K. Nakayama, S. Ogata, T. Hayashi, T. Hemmi, A. Tanaka, T. Izumi, K. Asano, D. Okamoto, Y. Tanaka, T. Mizushima, M. Yoshikawa, H. Fujisawa, K. Takenaka, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “High Voltage and Fast Switching Reverse Recovery Characteristics of 4H-SiC PiN diode”, Mater. Sci. Forum 778-780, 841–844 (2014).
  23. D. Okamoto*, Y. Tanaka, T. Mizushima, M. Yoshikawa, H. Fujisawa, K. Takenaka, S. Harada, S. Ogata, T. Hayashi, T. Izumi, T. Hemmi, A. Tanaka, K. Nakayama, K. Asano, K. Matsumoto, N. Ohse, M. Ryo, C. Ota, K. Takao, M. Mizukami, T. Kato, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “13-kV, 20-A 4H-SiC PiN Diodes for Power System Applications”, Mater. Sci. Forum 778-780, 855–858 (2014).
  24. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Conduction Mechanism of Leakage Current in Thermal Oxide on 4H-SiC”, Mater. Sci. Forum 778-780, 579–582 (2014).
  25. D. Okamoto*, Y. Tanaka, N. Matsumoto, M. Mizukami, C. Ota, K. Takao, K. Fukuda, and H. Okumura, “Development of High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes on 4° and 8° Off-Axis Substrates”, Mater. Sci. Forum 740-742, 907–910 (2013).
  26. D. Okamoto*, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Development of 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped Gate Oxide”, Mater. Sci. Forum 717-720, 733–738 (2012).
  27. R. Morishita, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Effect of POCl3 annealing on Reliability of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC”, Mater. Sci. Forum 717-720, 739–742 (2012).
  28. D. Okamoto*, H. Yano, S. Kotake, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Shallow traps at P-doped SiO2/4H-SiC(0001) Interface”, Mater. Sci. Forum 679-680, 338–341 (2011).
  29. S. Kotake, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Improved MOS interface properties of C-face 4H-SiC by POCl3 annealing”, Mater. Sci. Forum 679-680, 425–428 (2011).
  30. Y. Ueoka, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Extraordinary characteristics of 4H-SiC trench MOSFETs on large off-angle substrates”, Mater. Sci. Forum 679-680, 666–669 (2011).
  31. H. Yano, Y. Oshiro, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Instability of 4H-SiC MOSFET Characteristics due to Interface Traps with Long Time Constants”, Mater. Sci. Forum 679-680, 603–606 (2011).
  32. D. Okamoto*, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Removal of Near-Interface Traps at SiO2/4H-SiC (0001) Interfaces by Phosphorus Incorporation”, Appl. Phys. Lett. 96, 203508 (2010).
  33. D. Okamoto*, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Improved Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on Si face Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide”, IEEE Electron Device Lett. 31, 710–712 (2010).
  34. D. Okamoto*, H. Yano, Y. Oshiro, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Systematic Investigation of Interface Properties in 4H-SiC MOS Structures Prepared by Over-Oxidation of Ion-Implanted Substrates”, Mater. Sci. Forum 645-648, 495–498 (2010).
  35. D. Okamoto*, H. Yano, Y. Oshiro, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Investigation of Oxide Films Prepared by Direct Oxidation of C-face 4H-SiC in Nitric Oxide”, Mater. Sci. Forum 645-648, 515–518 (2010).
  36. D. Okamoto*, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Criteria for Accurate Measurement of Charge-Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs”, Mater. Sci. Forum 600-603, 747–750 (2009).
  37. D. Okamoto*, H. Yano, Y. Oshiro, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures”, Appl. Phys. Express 2, 021201 (2009).
  38. D. Okamoto*, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Analysis of Anomalous Charge-Pumping Characteristics on 4H-SiC MOSFETs”, IEEE Trans. Electron Devices, 55, 2013–2020 (2008).

国際会議プロシーディングス | Peer-Reviewed Conference Proceedings

  1. J. An, M. Namai, M. Tanabe, D. Okamoto, H. Yano, and N. Iwamuro, “Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications”, Technical Digest of International Electron Devices Meeting (IEDM) 2016, 10.7.1, pp. 272–275 (2016).
  2. T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Kato, S. Harada, Y. Tanaka, M. Okamoto, M. Sometani, D. Okamoto, N. Kumagai, S. Matsunaga, T. Deguchi, M. Arai, T. Hatakeyama, Y. Makifuchi, T. Araoka, N. Oose, T. Tsutsumi, M. Yoshikawa, K. Tatera, A. Tanaka, S. Ogata, K. Nakayama, T. Hayashi, K. Asano, M. Harashima, Y. Sano, E. Morisaki, M. Takei, M. Miyajima, H. Kimura, A. Otsuki, Y. Yonezawa, K. Fukuda, H. Okumura, and T. Kimoto, “Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT”, Proceedings of the 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s (ISPSD 2014), pp. 277–280 (2014).
  3. Y. Yonezawa, T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Kato, S. Harada, Y. Tanaka, M. Okamoto, M. Sometani, D. Okamoto, N. Kumagai, S. Matsunaga, T. Deguchi, M. Arai, T. Hatakeyama, Y. Makifuchi, T. Araoka, N. Oose, T. Tsutsumi, M. Yoshikawa, K. Tatera, M. Harashima, Y. Sano, E. Morisaki, M. Takei, M. Miyajima, H. Kimura, A. Otsuki, K. Fukuda, H. Okumura, and T. Kimoto, “Low Vf and Highly Reliable 16 kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel Implantation and Epitaxial IGBT”, Technical Digest of International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013, 6.6.1, pp. 164–167 (2013).
  4. D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Improved Inversion Channel Mobility in Si-face 4H-SiC MOSFETs by Phosphorus Incorporation Technique”, Materials Research Society symposia proceedings, 1246, 1246-B06-06 (2010).

学会発表 | Conference Presentations

国際会議 | International Conferences

  1. T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs”, 2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2025年9月24日（ポスター）
  2. K. Shimura, D. Okamoto, Y. Taguchi, K. Kimata, M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, and T. Hatakeyama, “TCAD and Experimental Study of Geometric Components in Charge Pumping Current for Accurate Characterization of Interface Trap Density in SiC pMOSFETs”, 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2025年9月17日（ポスター）
  3. T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “Physically Based Mobility Model for SiC MOSFETs in TCAD”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024), 2024年10月4日（口頭）
  4. M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita, and T. Umeda, “Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C–V and first-principles calculation”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023), 2023年9月19日（口頭）
  5. T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023), 2023年9月18日（ポスター）
  6. D. Okamoto, M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, and T. Hatakeyama, “Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements”, 2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022), 2022年7月8日 （口頭） 【招待講演】
  7. X. Zhang, T. Matsumoto, T. Makino, M. Ogura, M. Sometani, D. Okamoto, N. Iwamuro, S. Yamasaki, C. E. Nebel, T. Inokuma, and N. Tokuda, “High-Temperature Conductance Analysis for Al2O3/Diamond Interface States”, International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2021), 2021年11月16日（口頭）
  8. D. Okamoto, M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, and T. Hatakeyama, “Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods”, IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021), 2021年11月19日（口頭） 【招待講演】
  9. D. Okamoto, H. Nemoto, X. Zhang, X. Zhou, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, N. Iwamuro, and H. Yano, “Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, 2019年10月（口頭）
  10. Y. Matsuya, X. Zhang, D. Okamoto, N. Iwamuro, and H. Yano, “Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, 2019年10月（ポスター）
  11. H. Nemoto, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, 2019年10月（口頭）
  12. X. Zhou, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, 2019年10月（ポスター）
  13. X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides”, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, 2019年10月（口頭）
  14. H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs”, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月（ポスター）
  15. X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano, “Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月（口頭）
  16. T. Hatakeyama, T. Masuda, M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0-33-8), (11-20) and {0001} and their Impacts on Electron Transport”, 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月（口頭）
  17. X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors”, International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月（口頭）
  18. Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano, “Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method”, International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月（口頭）
  19. Y. Kiuchi, M. Sometani, D. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Substrates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates”, International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017) 2017年11月（口頭）
  20. M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, Y. Iwahashi, M. Hayashi, D. Okamoto, H. Yano, S. Harada, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月（口頭）
  21. T. Hatakeyama, Y. Kiuchi, M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements”, The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017) 2017年9月（口頭）
  22. T. Hatakeyama, Y. Kiuchi, M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Yano, Y. Yonezawa, and H. Okumura, “Characterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements”, 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC 2016) 2016年12月（ポスター）
  23. X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, and H. Yano, “A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors”, 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC 2016) 2016年12月（ポスター）
  24. J. An, M. Namai, M. Tanabe, D. Okamoto, H. Yano, and N. Iwamuro, “Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications”, International Electron Device Meeting 2016 (IEDM 2016) 2016年12月（口頭）
  25. D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano, “Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide”, 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 2014年12月（口頭）
  26. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Exact Characterization by Non-relaxation Method for Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFET”, Euro. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM 2014), 2014年9月（ポスター）
  27. Y. Yonezawa, T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Kato, D. Okamoto, M. Sometani, T. Deguchi, S. Harada, Y. Tanaka, S. Matsunaga, T. Hatakeyama, M. Okamoto, M. Yoshikawa, N. Oose, M. Ryo, H. Kimura, M. Miyajima, N. Kumagai, M. Takei, M. Arai, K. Takao, T. Izumi, T. Hayashi, K. Nakayama, K. Asano, A. Otsuki, K. Fukuda, H. Okumura, and T. Kimoto, “Fabrication and Performance of 16-kV Ultrahigh-Voltage SiC Power Devices”, 226th Meeting of The Electrochemical Society, 2014年10月（口頭）
  28. T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Kato, S. Harada, Y. Tanaka, M. Okamoto, M. Sometani, D. Okamoto, N. Kumagai, S. Matsunaga, T. Deguchi, M. Arai, T. Hatakeyama, Y. Makifuchi, T. Araoka, N. Oose, T. Tsutsumi, M. Yoshikawa, K. Tatera, A. Tanaka, S. Ogata, K. Nakayama, T. Hayashi, K. Asano, M. Harashima, Y. Sano, E. Morisaki, M. Takei, M. Miyajima, H. Kimura, A. Otsuki, Y. Yonezawa, K. Fukuda, H. Okumura, and T. Kimoto, “Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-type n-channel IE-IGBT”, 2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s (ISPSD), 2014年6月（ポスタ ー）
  29. Y. Yonezawa, T. Mizushima, K. Takenaka, H. Fujisawa, T. Kato, S. Harada, Y. Tanaka, M. Okamoto, M. Sometani, D. Okamoto, N. Kumagai, S. Matsunaga, T. Deguchi, M. Arai, T. Hatakeyama, Y. Makifuchi, T. Araoka, N. Oose, T. Tsutsumi, M. Yoshikawa, K. Tatera, M. Harashima, Y. Sano, E. Morisaki, M. Takei, M. Miyajima, H. Kimura, A. Otsuki, K. Fukuda, H. Okumura, and T. Kimoto, “Low Vf and Highly Reliable 16 kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-Channel Implantation and Epitaxial IGBT”, 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013年12月（口頭）
  30. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Temperature Dependence of Leakage Current in Thermally Grown Oxidation Films on 4H-SiC under High Electric Field”, 2013 Int. Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices (IWDTF), 2013年11月（ポスター）
  31. D. Okamoto, Y. Tanaka, T. Mizushima, M. Yoshikawa, H. Fujisawa, K. Takenaka, S. Harada, S. Ogata, T. Hayashi, T. Izumi, T. Hemmi, A. Tanaka, K. Nakayama, K. Asano, and K. M. E. al., “13-kV, 20-A4H-SiC PiN Diodes for Power System Applications”, Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013), 2013年9月（ポスター）
  32. M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “Conduction Mechanism of Leakage Current in Thermal Oxide on 4H-SiC”, Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013), 2013年9月（ポスター）
  33. K. Nakayama, S. Ogata, T. Hayashi, T. Hemmi, A. Tanaka, T. Izumi, K. Asano, D. Okamoto, Y. Tanaka, T. Mizushima, M. Yoshikawa, H. Fujisawa, K. Takenaka, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, “High Voltage and Fast Switching Reverse Recovery Characteristics of 4H-SiC PiN diode”, Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013), 2013年9月（ポスタ ー）
  34. D. Okamoto, Y. Tanaka, N. Matsumoto, M. Mizukami, C. Ota, K. Takao, K. Fukuda, and H. Okumura, “Development of High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes on 4° and 8° Off-Axis Substrates”, Euro. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2012 (ECSCRM 2012), 2012年9月（ポスター）
  35. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Development of 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped Gate Oxide”, Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), 2011年9月（口頭） 【招待講演】
  36. S. Kotake, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Improved MOS interface properties of C-face 4H-SiC by POCl3 annealing”, Euro. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2010 (ECSCRM 2010), 2010年8月（口頭）
  37. Y. Ueoka, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Extraordinary characteristics of 4H-SiC trench MOSFETs on large off-angle substrates”, Euro. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2010 (ECSCRM 2010), 2010年8月（ポスター）
  38. H. Yano, Y. Oshiro, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Instability of 4H-SiC MOSFET Characteristics due to Interface Traps with Long Time Constants”, Euro. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2010 (ECSCRM 2010), 2010年8月（口頭）
  39. D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, S. Kotake, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide”, The 2010 Int’l Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2010IMFEDK), 2010年5月（口頭）
  40. D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, S. Kotake, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Improved Inversion Channel Mobility in Si-face 4H-SiC MOSFETs by Phosphorus Incorporation Technique”, 2010 MRS Spring Meeting, 2010年4月（口頭）
  41. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, “Systematic Investigation of Interface Properties in 4H-SiC MOS Structures Prepared by Over-Oxidation of Ion-Implanted Substrates”, Int’l Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM 2009), 2009年10月（ポスター）
  42. D. Okamoto, H. Yano, Y. Oshiro, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Investigation of Oxide Films Prepared by Direct Oxidation of C-face 4H-SiC in Nitric Oxide”, Int’l Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM 2009), 2009年10月（ポスター）
  43. D. Okamoto, H. Yano, Y. Oshiro, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Interface Properties of C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures Prepared by Direct Oxidation in Nitric Oxide”, 2009 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), 2009年10月（口頭）
  44. D. Okamoto, H. Yano, Y. Oshiro, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Electrical Properties of C-face 4H-SiC MOS Devices Fabricated by NO Direct Oxidation”, The 2009 Int’l Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2009IMFEDK), 2009年5月（ポスター）
  45. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Direct Measurement of Interface State Density of SiC MOSFETs by Charge-Pumping Technique”, 2007 NAIST/GIST Joint Symposium on Advanced Materials, 2007年11月（ポスター）
  46. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, and T. Fuyuki, “Criteria for Accurate Measurement of Charge Pumping Current in 4H-SiC MOSFETs”, Int’l Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007 (ICSCRM2007), 2007年10月（ポスター）
  47. S. Nakamura, and D. Okamoto, “Preparation of AgInS2 Thin Films by Sulfurization of Ag/In Precursors for Solar Cell Application”, 15th Int’l Photovoltaic Science & Engineering Conf. (PVSEC-15), 2005年10月（口頭）

国内学会・研究会 | Domestic Conferences and Workshops

  1. 岡本 大, 染谷 満, “多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価”, 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 2026年9月9日（口頭）
  2. 田口 雄大, 岡本 大, “多周波チャージポンピング法による p チャネル 4H-SiC MOSFET の NIT に起因した動的な形状成分の解明”, 第73回応用物理学会春季学術講演会, 2026年3月15日（ポスター）
  3. 高林 知輝, 岡本 大, “SiO2/SiC 界面特性に及ぼす SiF4 添加量および酸化温度の影響”, 令和7年度（2025年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭）
  4. 矢合 志悠, 岡本 大, “周波数依存チャージポンピング法による SiC MOSFET の界面近傍酸化膜トラップ密度の温度依存性評価”, 令和7年度（2025年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭）
  5. 志村 一眞, 岡本 大, 田口 雄大, 木全 健太, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric Component のメカニズムと抑制条件の TCAD および実験的解析”, 先進パワー半導体分科会第12回講演会, 2025年11月20日（ポスター）
  6. 木全 健太, 志村 一眞, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “n-SiC MOSFET の Charge Pumping 電流における Geometric Component の TCAD 及び実験的解析”, 先進パワー半導体分科会第12回講演会, 2025年11月20日（ポスター）
  7. 志村 一眞, 岡本 大, 田口 雄大, 木全 健太, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric Component の TCAD および実験的解析”, 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 2025年9月10日（ポスター）
  8. 木全 健太, 志村 一眞, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “n-SiC MOSFET の Charge Pumping 電流における幾何学的形状成分の TCAD 及び実験的解析”, 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 2025年9月10日（ポスター）
  9. 矢合 志悠, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “n チャネル SiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価”, 令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 2024年12月7日（口頭）
  10. 志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫, “p チャネル SiC MOSFET における Charge Pumping 特性の特異的なチャネル依存性の TCAD による解析”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 2024年11月26日（ポスター）
  11. 田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “p チャネル SiC MOSFET におけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第11回講演会, 2024年11月26日（ポスター）
  12. 上野 大騎, 岡本 大, 畠山 哲夫, “n チャネル SiC MOSFET の Split CV 特性の TCAD による検討”, 令和5年度（2023年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2023年12月2日（口頭）
  13. 小橋 明希斗, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “p チャネル SiC MOSFET におけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価”, 令和5年度（2023年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2023年12月2日（口頭）
  14. 酒井 彰人, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “SiC MOSFET の Split CV 特性を説明する等価回路モデルの検討”, 令和5年度（2023年） 応用物理学会北陸・信越支部 学術講演会, 2023年12月2日（口頭）
  15. 志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫, “p チャネル SiC MOSFET における Charge Pumping 特性のチャネル長依存性シミュレーション”, 令和5年度（2023年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2023年12月2日（口頭）
  16. 高林 知輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “SiF4 添加酸化による SiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減”, 令和5年度（2023年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2023年12月2日（口頭）
  17. 笠原 匠人, 岡本 大, 畠山 哲夫, “p チャネル SiC MOSFET の Charge Pumping 特性における捕獲断面積の影響”, 令和5年度（2023年） 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2023年12月2日（口頭）
  18. 田口 雄大, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “p チャネル SiC MOSFET における Charge Pumping 電流のチャネル長依存性”, 先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日（ポスター）
  19. 木全 健太, 岡本 大, 畠山 哲夫, “SiC MOSFET における Charge Pumping 電流のチャネル長依存性の TCAD シミュレーション”, 先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日（ポスター）
  20. 志村 一眞, 岡本 大, 畠山 哲夫, “p チャネル 4H-SiC MOSFET に対する TCAD チャネル移動度モデル構築”, 先進パワー半導体分科会第10回講演会, 2023年12月1日（ポスター）
  21. 染谷 満, 西谷 侑将, 近藤 蓮, 猪鼻 伶, 曾 弘宇, 平井 悠久, 岡本 大, 松下 雄一郎, 梅田 享英, “SiO2/SiC 界面に存在する C ダングリングボンド欠陥のエネルギーレベル”, 先進パワー半導体分科会第9回講演会, 2022年12月21日（ポスター）
  22. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介, “TCAD における SiC MOS 反転層移動度のモデル化に関する考察”, 先進パワー半導体分科会第9回講演会, 2022年12月21日（ポスター）
  23. 松浦 克己, 岡本 大, 畠山 哲夫, “SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”, 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 2022年12月3日（口頭）
  24. 向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫, “SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”, 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 2022年12月3日（口頭）
  25. 益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫, “TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”, 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 2022年12月3日（口頭）
  26. 石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”, 令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 2022年12月3日（口頭）
  27. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介, “SiC MOS 反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察”, 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年9月21日（口頭）
  28. 岡本 大, “異原子導入による SiC MOSFET のチャネル移動度改善”, 第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム, 2022年6月11日（口頭） 【招待講演】
  29. 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫, “SiC van der Pauw および Hall bar 素子の最適設計”, 先進パワー半導体分科会第8回講演会,2021年12月10日（ポスター）
  30. 坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, 矢野 裕司, 岩室 憲幸, “改良高速 On-the-fly 法による SiC MOSFET の NBTI 評価”, 先進パワー半導体分科会第8回講演会,2021年12月9日（口頭） 【招待講演】
  31. 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫, “SiC Hall bar の最適設計に関する考察”, 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,2021年12月4日（口頭）
  32. 守山 遼, 犬塚 柊, 岡本 大, 畠山 哲夫, “TCAD による SiC MOSFET のチャージポンピング電流のシミュレーション”, 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 2021年12月4日（口頭）
  33. 中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫, “TCAD によるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討”, 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,2021年12月4日（口頭）
  34. 岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, “On-the-fly charge pumping の温度依存性測定による SiC MOSFET の NBTI 特性の解析”, 令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会,2021年12月4日（口頭）
  35. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介, “SiC MOS 反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察”, 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会, 2021年1月22日（ポスター）
  36. 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, “On-the-fly Charge Pumping 法による SiC MOSFET NBTI 劣化メカニズムの解析”, 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会,2021年1月22日（ポスター）
  37. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室憲幸, 矢野 裕司, “4H-SiC MOSFET の酸化膜リーク電流伝導機構の解析”, 先進パワー半導体分科会第7回講演会,2020年12月10日（口頭） 【招待講演】
  38. 坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “改良高速 On-the-fly 法による SiC MOSFET の正確な NBTI 評価”, 先進パワー半導体分科会第7回講演会,2020年12月9日（ポスター）
  39. 岡本 大, “SiC p チャネル MOSFET の実効移動度評価”, 先進パワー半導体分科会第6回個別討論会 2020年9月14日（口頭） 【依頼講演】
  40. 岡本 大, 染谷 満, 坂田 大輝, 張 旭芳, 松谷 優汰, 畠山 哲夫, 岡本 光央, 原田 信介, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “On-the-fly チャージポンピング法による SiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析”, 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月（口頭・発表成立扱い）
  41. 岡本 大, 周 星炎, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “SiC p チャネル MOSFET の正孔輸送機構の解析”, 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2020年2月（口頭）
  42. 坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, 根本 宏樹, 張 旭芳, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “高速緩和なし法による p チャネル 4H-SiC MOSFET のしきい値電圧変動評価”, 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月（ポスター）
  43. 周 星炎, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “pチャネル 4H-SiC MOSFET のチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明”, 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月（ポスター）
  44. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “p チャネル 4H-SiC MOSFET における酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析”, 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月（ポスター）
  45. 松谷 優汰, 張 旭芳, 岡本 大, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “界面近傍酸化膜トラップを考慮した 4H-SiC MOSFET における 3 レベルチャージポンピング特性の解析”, 先進パワー 半導体分科会第6回講演会 2019年12月（ポスター）
  46. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “p チャネル 4H-SiC MOSFET における酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析”, 応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月（口頭）
  47. 松谷 優汰, 張 旭芳, 岡本 大, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “界面近傍酸化膜トラップを考慮した 4H-SiC MOSFET の 3 レベルチャージポンピング特性の解析”, 応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月（口頭）
  48. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model”, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 2019年1月（ポスター）
  49. 周 星炎, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岡本 光央, 張 旭芳, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Hall 効果測定による p チャネル 4H-SiC MOSFET のチャネル輸送機構の解明”, 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月（ポスター）
  50. 根本 宏樹, 岡本 大, 染谷 満, 木内 祐治, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “p チャネル 4H-SiC MOSFET における酸化膜リーク電流伝導機構の解析”, 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月（ポスター）
  51. 畠山 哲夫, 増田 健良, 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元 “SiO2/SiC 界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果”, 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月（ポスター）
  52. 根本 宏樹, 岡本 大, 染谷 満, 木内 祐治, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “p チャネル 4H-SiC MOSFET における酸化膜リーク電流伝導機構の解析”, 第65回応用物理学会 春季学術講演会 2018年3月（口頭）
  53. 周 星炎, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 唐本 祐樹, 張 旭芳, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs”, 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 2018年3月（ポスター）
  54. 北島 魁人, 岡本 大, 矢野 裕司, 岩室 憲幸, “メタルアニール工程を省いた 4H-SiC イオン注入 n+層オーミックコンタクト実現の検討”, 平成30年電気学会全国大会 2018年3月（口頭）
  55. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces”, 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2018年1月（ポスター）
  56. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses”, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月（ポスター）
  57. 唐本 祐樹, 張 旭芳, 岡本 大, 染谷 満, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “コンダクタンス法による p 型 SiC MOS 界面の高速及び低速応答準位の解析”, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月（ポスター）
  58. 畠山 哲夫, 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果”, 先進パワー 半導体分科会 第4回講演会 2017年11月（ポスター）
  59. 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響”, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月（ポスター）
  60. 唐本 祐樹, 張 旭芳, 岡本 大, 染谷 満, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “コンダクタンス法による p 型 SiC MOS キャパシタ界面特性の解析”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月（口頭）
  61. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月（口頭）
  62. 畠山 哲夫, 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月（口頭）
  63. 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 畠山 哲夫, 岡本 光央, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月（口頭）
  64. 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 畠山 哲夫, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “4H-SiC C 面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響”, 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月（口頭）
  65. 天野 貴章, 岡本 大, 原田 信介, 畠山 哲夫, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “SiC MOSFET のホール移動度の温度依存性”, 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月（口頭）
  66. 王 緒昆, 岡本 大, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “窒化した SiC MOSFET に対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性”, 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月（口頭）
  67. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 小杉 亮治, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface”, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会 2017年1月（ポスター）
  68. 畠山 哲夫, 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “ホール効果測定による窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍の界面準位評価”, 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会 2017年1月（ポスター）
  69. 王 緒昆, 岡本 大, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “チャージポンピング法による 4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析”, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月（口頭）
  70. 畠山 哲夫, 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “ホール効果測定による窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍における界面準位の評価”, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月（ポスター）
  71. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 小杉 亮治, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors”, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月（ポスター）
  72. 唐本 祐樹, 岡本 大, 原田 信介, 染谷 満, 畠山 哲夫, 小杉 亮治, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “窒化した p 型 SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成”, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月（ポスター）
  73. 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 畠山 哲夫, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “4H-SiC 熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の効果”, 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月（ポスター）
  74. 岡本 大, 張 旭芳, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 小杉 亮治, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “直列抵抗を考慮したインピーダンス測定による SiC MOS 界面解析”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月（口頭）
  75. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 小杉 亮治, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月（口頭）
  76. 王 緒昆, 岡本 大, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “窒化した SiC MOSFET に対するチャージポンピング特性の周波数依存性”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月（口頭）
  77. 唐本 祐樹, 岡本 大, 原田 信介, 染谷 満, 畠山 哲夫, 小杉 亮治, 岩室 憲幸, 矢野 裕司, “窒化した p 型 SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月（口頭）
  78. 畠山 哲夫, 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “ホール効果測定による窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍における界面準位の評価”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月（口頭）
  79. 木内 祐治, 染谷 満, 岡本 大, 畠山 哲夫, 原田 信介, 矢野 裕司, 米澤 喜幸, 奥村 元, “4H-SiC 熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月（口頭）
  80. 岡本 大,染谷 満,原田 信介,小杉 亮治,米澤 喜幸,矢野 裕司, “B 導入による高移動度 4H-SiC MOSFET の作製と界面トラップ評価”, 第20回ゲートスタック研究会― 材料・プロセス・評価の物理―, 2015年1月（ポスター）
  81. 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 石森 均, 高須 伸次, 畠山 哲夫, 武井 学, 児島 一聡, 米澤 喜幸,福田 憲司, “N2O 酸化により形成した 4H-SiC(0001) MOSFET に対する緩和無し Vth 変動評価”, 第75回応用物理学会秋季学術講演会,2014年9月（口頭）
  82. 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 石森 均, 高須 伸次, 畠山 哲夫, 武井 学, 児島 一聡, 米澤 善幸,福田 憲司,奥村 元, “ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案”, 第61回応用物理学会春季学術講演会,2014年3月（口頭）
  83. 岡本 大,田中 保宣,水島 智教,吉川 満,藤澤 広幸,竹中 研介,原田 信介,田中篤嗣,緒方 修二,逸見 哲郎,泉 徹,林 利彦,中山 浩二,浅野 勝則,松本 一志, 大瀬 直之,呂 民雅,加藤 智久,武井 学,米澤 喜幸,福田 憲司,奥村 元, “13 kV, 20 A 級 4H-SiC PiN ダイオードの量産試作”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第22回講演会,2013年12月（ポスター）
  84. 染谷 満, 岡本 大, 原田 信介, 石森 均, 高須 伸次, 畠山 哲夫, 武井 学, 米澤 善幸, 福田 憲司,奥村 元, “高電界下における SiO2/4H-SiC のゲートリーク電流伝導機構”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第22回講演会,2013年12月（ポスター）
  85. 新井 崇雅,岡本 大,染谷 満,吉岡 裕典,原田 信介,鈴木 貴智, “超低周波 CV 法による SiC MOS 界面準位評価”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第22回講演会,2013年12月（ポスター）
  86. 岡本 大,矢野 裕司,小竹 慎也,畑山 智亮,冬木 隆, “リンドープ SiO2/4H-SiC 界面欠陥の解析”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会,2010年10月（ポスター）
  87. 岡本 大,矢野 裕司,小竹 慎也,畑山 智亮,冬木 隆, “リンドープ SiO2/4H-SiC(0001) 界面欠陥の熱刺激電流法による解析”, 第57回応用物理学関係連合学術講演会, 2010年3月（ポスター）
  88. 岡本 大,矢野 裕司,平田 憲司,畑山 智亮,冬木 隆, “SiO2/SiC 界面へのリンの導入による高チャネル移動度 4H-SiC MOSFET の作製”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会,2009年12月（口頭およびポスター）
  89. 岡本 大,矢野 裕司,平田 憲司,畑山 智亮,冬木 隆, “4H-SiC MOS 界面へのリンの導入による界面準位密度の低減”, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） ,2009年12月（口頭）
  90. 岡本 大, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆 “Analysis of Anomalous Charge-Pumping Characteristics on 4H-SiC MOSFETs”, 2009 IEEE Kansai Chapter コロキウム電子デバイスワークショップ,2009年10月（口頭） 【依頼講演】
  91. 大城 ゆき,岡本 大,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “NO 直接酸化により作製した 4H-SiC C 面 MOS キャパシタの C-V 特性”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会,2008年12月（口頭およびポスター）
  92. 岡本 大,大城 ゆき,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “希釈 NO アニールにより C 面上に作製した 4H-SiC MOSFET の電気的特性”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会,2008年12月（ポスター）
  93. 大城 ゆき,岡本 大,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “NO 直接酸化法により作製した C 面上 4H-SiC MOS デバイスの特性”, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） ,2008年12月（口頭）
  94. 岡本 大,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “4H-SiC nMOSFET および pMOSFET に対するチャージポンピング測定”, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） ,2007年12月（口頭）
  95. 岡本 大,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “4H-SiC MOSFET のチャージポンピング測定における形状成分および界面トラップ電荷の影響”, SiC 及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会,2007年11月（ポスター）
  96. 岡本 大,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “4H-SiC MOSFET のチャージポンピング測定における臨界パルス立下り時間の検討”, 第68回応用物理学会学術講演会,2007年9月（口頭）
  97. 岡本 大,武田 大輔,矢野 裕司,畑山 智亮,浦岡 行治,冬木 隆, “SiC MOSFET における特異的なチャージポンピング特性の解析”, 第54回応用物理学関係連合学術講演会,2007年3月（口頭）