2021年12月9日(木)～10日(金)にオンライン開催される先進パワー半導体分科会第8回講演会にて、当研究室の守山君（M2）が下記のポスター講演を行います。本講演は、SiC MOSFETのチャネル移動度の解析によく用いられるHall効果測定を正確に行うための最適な素子設計を、デバイスシミュレーションにより明らかにしたものです。
守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫 “SiC van der Pauw およびHall bar 素子の最適設計”
先進パワー半導体分科会第８回講演会 2021年12月9 or 10日