文科省革新パワエレPJに参画します。

文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（令和３～５年度）「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。

大阪大学、産総研、東京大学、筑波大学、関西学院大学との連携により、SiC MOSデバイスの性能を向上するためのプロセス開発に向けて、強力に研究を推進します。