EN日本学術振興会の科学研究費助成事業（科研費）に、本研究室から提案した以下の研究課題が採択されました。
研究種目： 基盤研究（C）
研究課題名： フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発
研究代表者： 岡本 大
研究期間： 2023年4月～2026年3月
SiC MOSFETは、電気自動車、鉄道、再生可能エネルギー、産業機器などに用いられる次世代のパワー半導体として期待されています。しかし、SiCとゲート絶縁膜であるSiO2との界面には高密度の欠陥が存在し、電子の移動を妨げることで、MOSFETの性能や信頼性を低下させる原因となっています。
本研究では、SiCを熱酸化してゲート絶縁膜を形成する際にフッ素を導入する「フッ素添加熱酸化法」の開発に取り組みます。フッ素の導入条件やSiO2/SiC界面近傍における分布を制御し、界面欠陥の低減とチャネル移動度の向上を目指します。また、作製したMOS構造やMOSFETの電気特性を詳しく評価し、フッ素がデバイスのしきい値電圧安定性や長期信頼性に及ぼす影響についても明らかにします。
これらの研究を通じて、SiC MOSFETの高性能化と高信頼性化を両立できる、新しいSiC MOS界面形成技術の確立を目指します。
研究費の助成に深く感謝するとともに、本研究から新たな知見と技術を生み出せるよう、研究室一同、研究に取り組んでまいります。