2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。
“SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”
石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”
益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”
向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”
松浦 克己, 守山 遼, 畠山 哲夫