科研費に２件採択されました。

科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。

1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」
代表者：畠山 哲夫
研究期間：2023年4月～2026年3月

2. 科研費基盤研究(C) 「フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発」
代表者：岡本 大
研究期間：2023年4月～2026年3月

研究費の助成に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。