科研費に2件採択されました。

科学研究費助成事業(科研費)に本研究室からの提案が2件採択されました。

1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」
代表者:畠山 哲夫
研究期間:2023年4月~2026年3月

2. 科研費基盤研究(C) 「フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発」
代表者:岡本 大
研究期間:2023年4月~2026年3月

研究費の助成に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。