文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業(令和3~5年度)「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。
大阪大学、産総研、東京大学、筑波大学、関西学院大学との連携により、SiC MOSデバイスの性能を向上するためのプロセス開発に向けて、強力に研究を推進します。
文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業(令和3~5年度)「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。
大阪大学、産総研、東京大学、筑波大学、関西学院大学との連携により、SiC MOSデバイスの性能を向上するためのプロセス開発に向けて、強力に研究を推進します。
11月17日~19日にオンライン開催されるIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs Investigated by On-the-fly Methods”
IEEE International Meting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月
公益財団法人 村田学術振興財団 第37回(2021年度) 研究助成に、本研究室からの提案「SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用」が採択されました。研究期間は、2021年7月から2022年6月までの1年間です。
本研究課題は、SiC MOSFETにおいて問題となっているチャネル移動度を改善する新規プロセスを提案・開発するものです。研究費のご支援に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。