学術論文 | Journal Papers (since 2018)

  1. H. Sakata, D. Okamoto*, M. Sometani, M. Okamoto, H. Hirai, S. Harada, T. Hatakeyama, H. Yano, N. Iwamuro, “Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method” Jpn. J. Appl. Phys. 60, 060901 (2021).
  2. A. Yao, R. Moriyama, T. Hatakeyama, “Iron Losses and Magnetic-Hysteresis Properties Under GaN Inverter Excitation at High-Frequencies” J. Magn. Soc. Jpn. 44, 87 (2020).
  3. H. Nemoto, D. Okamoto*, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs” Jpn. J. Appl. Phys. 59, 044003 (2020).
  4. A. Yao, T. Funaki, T. Hatakeyama, “Representation of Magnetic Hysteresis Phenomena under Inverter Excitation in a Circuit Simulator using Coupling Analysis of Electricity and Magnetism” J. Magn. Soc. Jpn. 43, 105 (2019).
  5. T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, “Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000-1)/SiO2 interfaces with wet oxidation” Appl. Phys. Lett. 115, 151602 (2019).
  6. H. Hirai, T. Hatakeyama, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, Hajime Okumura “Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on (1-100) m-face and (11-20) a-face characterized by Hall effect measurements” Appl. Phys. Lett. 115, 132106 (2019).
  7. M. Sometani, T. Hosoi, H. Hirai, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe, Y. Yonezawa, H. Okumura “Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations” Appl. Phys. Lett. 115, 132102 (2019).
  8. T. Masuda, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, “Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0-33-8) interfaces” Jpn. J. Appl. Phys. 58 SBBD04 (2019).
  9. T. Hatakeyama*, T. Masuda, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, H. Okumura, “Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities” Appl. Phys. Express 12, 201003 (2019).
  10. X. Zhang, D. Okamoto*, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors” Jpn. J. Appl. Phys. 57, 06KA04 (2018).
  11. Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto*, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors” Jpn. J. Appl. Phys. 57, 06KA06 (2018).

学会発表 | Conference Presentations (since 2018)

  1. 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介 “SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察” 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月22日
  2. 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫 “On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析” 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月22日
  3. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室憲幸, 矢野 裕司 “4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析” 先進パワー半導体分科会第7回講演会 2020年12月10日
  4. 坂田 大輝, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価” 先進パワー半導体分科会第7回講演会 2020年12月9日
  5. 岡本 大 “SiC pチャネルMOSFETの実効移動度評価” 先進パワー半導体分科会第6回個別討論会 2020年9月14日
  6. 岡本 大, 染谷 満, 坂田 大輝, 張 旭芳, 松谷 優汰, 畠山 哲夫, 岡本 光央, 原田 信介, 矢野 裕司, 岩室 憲幸 “On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析” 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
  7. 岡本 大, 周 星炎, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析” 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2020年2月1日
  8. 坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司 “高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価” 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月
  9. 周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明” 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月
  10. 根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析” 先進パワー半導体分科会第6回講演会 2019年12月
  11. D. Okamoto, H. Nemoto, X. Zhang, X. Zhou, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama, N. Iwamuro, H, Yano “Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月
  12. H. Nemoto, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano “Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月
  13. X. Zhou, D. Okamoto, X. Zhang, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano “Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月
  14. 根本 宏樹, 岡本 大, 張 旭芳, 染谷 満, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析” 応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月
  15. 張 旭芳, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model” 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2019年1月25日
  16. 周 星炎, 岡本 大, 畠山 哲夫, 染谷 満, 原田 信介, 岡本 光央, 張 旭芳, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明” 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
  17. 根本 宏樹, 岡本 大, 染谷 満, 木内 祐治, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介, 岩室 憲幸, 矢野 裕司 “pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析” 先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月6日
  18. 畠山哲夫, 増田健良, 染谷満, 岡本大, 原田信介, 矢野 裕司, 米澤喜幸, 奥村元 “SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果” 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 2018年11月6日
  19. H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, H. Yano, “Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs” 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
  20. X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, H. Yano, “Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements” European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日
  21. T. Hatakeyama, T. Masuda, M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Yano, Y. Yonezawa, H. Okumura, “Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0-33-8), (11-20) and {0001} and their Impacts on Electron Transport” 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018) 2018年9月2日