2023年11/30~12/1に金沢で開催された先進パワー半導体分科会第10回講演会に参加して研究発表を行いました。 本研究室からは志村(筆者)、田口、木全、畠山先生、岡本先生が参加しました。 参加者は600名程度で、パ […]

2023年12月2日(土)に富山県民会館で開催される令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記6件の口頭講演を行います。 ”SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度 […]

2023年11月30日(木)～12月1日(金)にANAクラウンプラザホテル金沢で開催される応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会にて、当研究室から下記３件のポスター講演を行います。 “pチャネル […]

新たに7名の学部３年生（阿部さん、石井君、梅津君、鎌谷君、下條君、田近君、矢合君）が配属されました。研究室メンバーは計17名になりました。

2023年9月17日(日)～22日(金)にイタリア・ソレントで開催される International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM […]

科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。 1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」代表者：畠山 哲夫研究期間：2023年4月～202 […]

2021年12月20日(火)～21日(水)に福岡国際会議場で開催される先進パワー半導体分科会第9回講演会にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。 畠山 哲夫，平井 悠久，染谷 満，岡本 大，岡本 光央、原田 信介 […]

2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。 “SiC MOSFET における Charge Pumping […]

新たに８名の学部３年生（上野君、笠原君、木全君、小橋君、酒井君、志村君、高林君、田口君）が配属されました。研究室メンバーは計16名になりました。

9月20日～23日に東北大学で開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会にて、畠山教授がシンポジウムでの講演を行います。 シンポジウム：「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」発表日時：9月21日 14:2 […]