7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devic […]
6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。 岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFET […]
畠山教授が筆頭の論文が Journal of Applied Physics 誌に掲載されました。本成果は、「文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」プロジェクトの一環として、富山県立大学と産総 […]
2021年度学位授与式が執り行われ、当研究室からは2名の大学院生（修士）と、3名の学部生が無事に修了・卒業しました。修士の２名はパワエレ研の基盤形成に大きく貢献した１期生です。研究室を大きく成長させてくれた皆さんにとても […]
2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記５件の口頭講演を行います。 “SiC Hall barの最適設計に関する考察” […]
2021年12月9日(木)～10日(金)にオンライン開催される先進パワー半導体分科会第8回講演会にて、当研究室の守山君（M2）が下記のポスター講演を行います。本講演は、SiC MOSFETのチャネル移動度の解析によく用い […]
新たに６名の学部３年生（石塚君、杉野君、谷口君、益田君、松浦君、向君）が配属されました。研究室メンバーは計13名になりました。これから半年間かけて、専門ゼミで卒研開始に向けた基礎的な知識を習得します。
文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（令和３～５年度）「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。 大阪大学、産総研、東京大 […]
11月17日～19日にオンライン開催されるIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)にて、岡本准教授が下 […]
公益財団法人 村田学術振興財団 第37回(2021年度) 研究助成に、本研究室からの提案「SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用」が採択されました。研究期間は、2021年7月か […]