2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記５件の口頭講演を行います。 “SiC Hall barの最適設計に関する考察” […]

2021年12月9日(木)～10日(金)にオンライン開催される先進パワー半導体分科会第8回講演会にて、当研究室の守山君（M2）が下記のポスター講演を行います。本講演は、SiC MOSFETのチャネル移動度の解析によく用い […]

新たに６名の学部３年生（石塚君、杉野君、谷口君、益田君、松浦君、向君）が配属されました。研究室メンバーは計13名になりました。これから半年間かけて、専門ゼミで卒研開始に向けた基礎的な知識を習得します。

文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（令和３～５年度）「炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築」に畠山教授、岡本准教授が研究協力者として参画します。 大阪大学、産総研、東京大 […]

11月17日～19日にオンライン開催されるIEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021)にて、岡本准教授が下 […]

公益財団法人 村田学術振興財団 第37回(2021年度) 研究助成に、本研究室からの提案「SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用」が採択されました。研究期間は、2021年7月か […]