科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。 1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」代表者：畠山 哲夫研究期間：2023年4月～202 […]
2021年12月20日(火)～21日(水)に福岡国際会議場で開催される先進パワー半導体分科会第9回講演会にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。 畠山 哲夫，平井 悠久，染谷 満，岡本 大，岡本 光央、原田 信介 […]
2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。 “SiC MOSFET における Charge Pumping […]
新たに８名の学部３年生（上野君、笠原君、木全君、小橋君、酒井君、志村君、高林君、田口君）が配属されました。研究室メンバーは計16名になりました。
9月20日～23日に東北大学で開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会にて、畠山教授がシンポジウムでの講演を行います。 シンポジウム：「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」発表日時：9月21日 14:2 […]
7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devic […]
6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。 岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFET […]
畠山教授が筆頭の論文が Journal of Applied Physics 誌に掲載されました。本成果は、「文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」プロジェクトの一環として、富山県立大学と産総 […]
2021年度学位授与式が執り行われ、当研究室からは2名の大学院生（修士）と、3名の学部生が無事に修了・卒業しました。修士の２名はパワエレ研の基盤形成に大きく貢献した１期生です。研究室を大きく成長させてくれた皆さんにとても […]
2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記５件の口頭講演を行います。 “SiC Hall barの最適設計に関する考察” […]
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