ENこのたび、富山県立大学研究協力会の2026年度奨励研究に、研究課題「SiCパワー半導体ゲート絶縁膜の低コスト非破壊スクリーニング基盤の構築」が採択されました。
本研究室では初の試みとなる光学測定と電気測定を組み合わせることにより、SiCパワー半導体のゲート絶縁膜を非破壊かつ低コストで診断する技術の確立を目指します。
SiCパワーデバイスの性能や信頼性を向上させるためには、絶縁膜内部やSiO2/SiC界面に存在する欠陥の状態を適切に評価することが重要です。そこで本研究では、光学測定と電気測定から得られる複数の情報を組み合わせ、ゲート絶縁膜や界面の状態を効率的に判定するための基盤を構築します。将来的には、作製した多数の試料から、より詳細な分析やデバイス評価を行うべき試料を迅速に選別するスクリーニング技術への発展を目指します。
今回の助成は、新しい評価技術の立ち上げや、測定・解析環境を整備するうえで、大変貴重な研究資金です。ご支援に感謝するとともに、研究成果として還元できるよう、学生とともに研究を進めてまいります。