EN2026年3月15日に東京科学大学 大岡山キャンパスで開催される第73回応用物理学会春季学術講演会において、本研究室がポスター発表を行います。
本発表では、pチャネル4H-SiC MOSFETを対象として、多周波チャージポンピング法による測定結果を解析し、界面近傍酸化膜トラップ（NIT）に起因する動的な形状成分の発生メカニズムについて議論します。
田口 雄大, 岡本 大, 「多周波チャージポンピング法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのNITに起因した動的な形状成分の解明」, 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学 大岡山キャンパス, 2026年3月15日（ポスター発表）
また、岡本は応用物理学会のプログラム編集委員を務めており、本講演会では「13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価」のSiCセッションの座長を担当します。