EN2026年9月に北海道で開催される第87回応用物理学会秋季学術講演会において、SiC MOS界面評価に関する研究成果を口頭発表します。
発表情報
発表題目
多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価
発表者
岡本 大（富山県立大）、染谷 満（産総研）
発表日
2026年9月9日
発表形式
口頭発表
本研究では、4H-SiC MOSキャパシタの容量・コンダクタンス特性を複数の周波数で解析し、MOS界面における応答の時定数を評価します。従来の界面準位評価だけでは十分に説明できない周波数分散について、Martens型の解析に基づいて、その物理的な起源を検討します。
また、岡本は本学会のプログラム編集委員を務めており、9月9日午前のセッションでは座長も担当します。発表と学会運営の両面から、秋季学術講演会に参加します。