月別アーカイブ: 8月 2026

2026年度 公益財団法人TAKEUCHI育英奨学会の研究助成に、研究課題「産業機械の電動化・高効率化に資するSiC MOS界面制御技術の開発」が採択されました。

本研究では、本助成を活用してALD（原子層堆積）装置を独自に構築し、新たな界面形成技術によってSiC MOS界面に存在する欠陥の低減に取り組みます。これにより、産業機械の電動化を支えるSiCパワー半導体デバイスのさらなる高性能化・高信頼性化を目指します。

8月7日には授与式・交流会に参加させていただきました。また、竹内製作所の工場見学の機会もいただき、実際に建設機械が製造されていく現場を間近で拝見し、感銘を受けました。

このご支援を大切に活用し、そこから新しい研究成果を生み出し、北信越地域の学術・産業の発展と、次世代のものづくりを担う人材の育成に役立てていきます。

このたび貴重な研究の機会を与えていただきました公益財団法人TAKEUCHI育英奨学会ならびに関係者の皆様に、心より御礼申し上げます。

いただいたご支援を社会に還元できるよう、研究室一同、研究活動に取り組んでまいります。

このたび、富山県立大学研究協力会の2026年度奨励研究に、研究課題「SiCパワー半導体ゲート絶縁膜の低コスト非破壊スクリーニング基盤の構築」が採択されました。

本研究室では初の試みとなる光学測定と電気測定を組み合わせることにより、SiCパワー半導体のゲート絶縁膜を非破壊かつ低コストで診断する技術の確立を目指します。

SiCパワーデバイスの性能や信頼性を向上させるためには、絶縁膜内部やSiO₂/SiC界面に存在する欠陥の状態を適切に評価することが重要です。そこで本研究では、光学測定と電気測定から得られる複数の情報を組み合わせ、ゲート絶縁膜や界面の状態を効率的に判定するための基盤を構築します。将来的には、作製した多数の試料から、より詳細な分析やデバイス評価を行うべき試料を迅速に選別するスクリーニング技術への発展を目指します。

今回の助成は、新しい評価技術の立ち上げや、測定・解析環境を整備するうえで、大変貴重な研究資金です。ご支援に感謝するとともに、研究成果として還元できるよう、学生とともに研究を進めてまいります。