EN日本学術振興会 科学研究費助成事業（科研費）に、岡本准教授を研究代表者とする下記の研究課題が採択されました。
研究種目： 基盤研究（C）
研究課題名： 高性能・高信頼性SiC MOSFETの実現に向けた原子層界面ドーピング技術
研究代表者： 岡本 大
研究期間： 2026年4月～2029年3月
本研究では、SiC MOSFETの性能と信頼性を左右するSiC MOS界面に対して、原子層界面ドーピングという新たな界面制御技術の開発に取り組みます。これにより、SiC MOSFETの高性能化と高信頼性化を両立することを目指します。
研究費の助成に感謝するとともに、3年間の研究を通じて、SiC MOSFETの性能向上につながる新しい界面形成技術を提案できるよう、研究室一同、研究に取り組んでまいります。