2025年12月13日に信州大学工学部（長野県長野市）で開催される「令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会」において、本研究室から2件の口頭発表を行います。
高林 知輝, 岡本 大, 「SiO2/SiC界面特性に及ぼすSiF4添加量および酸化温度の影響」, 令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭発表）
矢合 志悠, 岡本 大, 「周波数依存チャージポンピング法によるSiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップ密度の温度依存性評価」, 令和7年度（2025年）応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会, 2025年12月13日（口頭発表）
また、岡本は午後のセッションで座長を担当します。
日頃の研究成果を分かりやすく伝え、他大学や研究機関の研究者との議論を今後の研究に生かせるよう、発表に向けた準備を進めています。
2025年11月19日、20日の2日間、富山国際会議場において、応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会が開催されました。
本講演会には、大学や研究機関、半導体関連企業から、企業展示の関係者を含めて600名を超える研究者・技術者が参加しました。先進パワー半導体に関する材料、結晶成長、プロセス、デバイス、回路・システムなど、幅広い分野の最新の研究成果が発表され、活発な議論と交流が行われました。
開会にあたっては、富山県の新田知事から、県外から訪れた多くの参加者を温かく迎える挨拶があり、富山県内における半導体分野への関心の高まりを象徴する会議となりました。
本講演会は、本学の畠山教授が実行委員長を務め、岡本は実行委員会副委員長として、関係者の皆様とともに開催準備および当日の運営に携わりました。多くの関係者の協力により、全国規模の講演会を富山で盛況のうちに開催することができました。
畠山研究室の学生と当研究室の学生も運営スタッフとして参加し、タイムキーパーやマイク係など、会場でのさまざまな業務に主体的に取り組みました。多数の研究者や企業の技術者が集まる大規模な学術講演会の運営を経験することは、学生にとって、研究発表とは異なる形で学術コミュニティを支える貴重な機会となりました。
今回の講演会は、パワー半導体分野における研究交流を深めるとともに、富山県をはじめとする北陸地域の半導体産業と人材育成をさらに前へ進める、新たな一歩となりました。
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