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村田学術振興財団 第37回(2021年度)研究助成に採択されました。

公益財団法人 村田学術振興財団 第37回(2021年度) 研究助成に、本研究室からの提案「SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用」が採択されました。研究期間は、2021年7月から2022年6月までの1年間です。

本研究課題は、SiC MOSFETにおいて問題となっているチャネル移動度を改善する新規プロセスを提案・開発するものです。研究費のご支援に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。