2023年9月17日(日)～22日(金)にイタリア・ソレントで開催される International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023) にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。
T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto and S. Harada, “A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs”
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 2023年9月18日
科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。
1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」
代表者：畠山 哲夫
研究期間：2023年4月～2026年3月
2. 科研費基盤研究(C) 「フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発」
代表者：岡本 大
研究期間：2023年4月～2026年3月
研究費の助成に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。
2021年12月20日(火)～21日(水)に福岡国際会議場で開催される先進パワー半導体分科会第9回講演会にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。
畠山 哲夫，平井 悠久，染谷 満，岡本 大，岡本 光央、原田 信介 “TCAD における SiC MOS 反転層移動度のモデル化に関する考察”
先進パワー半導体分科会第９回講演会 2022年12月21日
2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。
“SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”
石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫
“TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”
益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”
向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫
“SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”
松浦 克己, 守山 遼, 畠山 哲夫
新たに８名の学部３年生（上野君、笠原君、木全君、小橋君、酒井君、志村君、高林君、田口君）が配属されました。研究室メンバーは計16名になりました。
9月20日～23日に東北大学で開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会にて、畠山教授がシンポジウムでの講演を行います。
シンポジウム：「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」
発表日時：9月21日 14:20 〜 14:35 [21p-M206-3]
畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介
“SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察”
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements”
2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022) 2022年7月8日
6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。
岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFETのチャネル移動度改善”
第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2022年6月11日
畠山教授が筆頭の論文が Journal of Applied Physics 誌に掲載されました。本成果は、「文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」プロジェクトの一環として、富山県立大学と産総研との共同研究により得られた成果であり、双極子散乱理論を用いることで、SiC MOSFETのチャネル移動度の劣化機構の推察を行ったものです。
T. Hatakeyama*, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs” J. Appl. Phys. 131, 145701 (2022).
2021年度学位授与式が執り行われ、当研究室からは2名の大学院生（修士）と、3名の学部生が無事に修了・卒業しました。修士の２名はパワエレ研の基盤形成に大きく貢献した１期生です。研究室を大きく成長させてくれた皆さんにとても感謝しています。本学での経験を活かして、それぞれの環境の中で足跡を残して行ってほしいと思います。
