投稿者アーカイブ: PE-Lab.

科学研究費助成事業（科研費）に本研究室からの提案が２件採択されました。

1. 科研費基盤研究(C) 「SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明」
代表者：畠山 哲夫
研究期間：2023年4月～2026年3月

2. 科研費基盤研究(C) 「フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発」
代表者：岡本 大
研究期間：2023年4月～2026年3月

研究費の助成に感謝致しますとともに、より一層の研鑽に努める所存であります。

2021年12月20日(火)～21日(水)に福岡国際会議場で開催される先進パワー半導体分科会第9回講演会にて、畠山教授が下記のポスター講演を行います。

畠山 哲夫，平井 悠久，染谷 満，岡本 大，岡本 光央、原田 信介 “TCAD における SiC MOS 反転層移動度のモデル化に関する考察”
先進パワー半導体分科会第９回講演会 2022年12月21日

2022年12月3日(土)にハイブリッド開催される令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記４件の口頭講演を行います。

“SiC MOSFET における Charge Pumping 電流の素子形状依存性”
石塚 巧真, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫

“TCAD による SiC MOSFET の CP 特性の捕獲断面積依存性の評価”
益田 裕介, 岡本 大, 畠山 哲夫

“SiC MOSFET の I-V 特性を再現する TCAD 移動度モデルの検討”
向 結人, 岡本 大, 畠山 哲夫

“SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討”
松浦 克己, 守山 遼, 畠山 哲夫

新たに８名の学部３年生（上野君、笠原君、木全君、小橋君、酒井君、志村君、高林君、田口君）が配属されました。研究室メンバーは計16名になりました。

9月20日～23日に東北大学で開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会にて、畠山教授がシンポジウムでの講演を行います。

シンポジウム：「ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線」
発表日時：9月21日 14:20 〜 14:35 [21p-M206-3]

畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介
“SiC MOS反転層移動度の支配的散乱要因に関する考察”
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日

7月7日～8日にオンラインで開催される2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。

Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama
“Understanding Negative Bias Temperature Instability in 4H-SiC MOSFETs by Fast Threshold Voltage Measurements”
2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2022) 2022年7月8日

6月11日に朱鷺メッセ（新潟市）で開催される第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム (応用物理学会 北陸・信越支部主催)にて、岡本准教授が下記の招待講演を行います。

岡本 大 “異原子導入によるSiC MOSFETのチャネル移動度改善”
第6回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2022年6月11日

畠山教授が筆頭の論文が Journal of Applied Physics 誌に掲載されました。本成果は、「文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」プロジェクトの一環として、富山県立大学と産総研との共同研究により得られた成果であり、双極子散乱理論を用いることで、SiC MOSFETのチャネル移動度の劣化機構の推察を行ったものです。

T. Hatakeyama*, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, and S. Harada, “Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs” J. Appl. Phys. 131, 145701 (2022).

2021年度学位授与式が執り行われ、当研究室からは2名の大学院生（修士）と、3名の学部生が無事に修了・卒業しました。修士の２名はパワエレ研の基盤形成に大きく貢献した１期生です。研究室を大きく成長させてくれた皆さんにとても感謝しています。本学での経験を活かして、それぞれの環境の中で足跡を残して行ってほしいと思います。

2021年12月4日(土)にハイブリッド開催される令和3年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会にて、当研究室から下記５件の口頭講演を行います。

“SiC Hall barの最適設計に関する考察”
守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション”
守山 遼, 犬塚 柊, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討”
中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫

“TCADによるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討”
伊藤 大地, 守山 遼, 畠山 哲夫

“On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定によるSiC MOSFETのNBTI特性の解析”
岡野 夏樹, 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫